專利名稱： 高壓電系數(shù)無鉛鋯鈦酸鍶鋇系壓電陶瓷
公開（告）號(hào)： CN1837144
申請（專利）號(hào)： 200510033681.2
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： 唐新桂;鄧穎宇;蔣力立;陳王麗華
(申請)專利權(quán)（人）： 廣東工業(yè)大學(xué)
內(nèi)容：（摘要）本發(fā)明公開了一種高壓電系數(shù)無鉛鋯鈦酸鍶鋇(BSZT)系壓電陶瓷，用溶膠-膠凝法、固相反應(yīng)法、濕化學(xué)溶液法、模板晶粒生長(Templated Grain Growth， TGG)技術(shù)、反應(yīng)模板晶粒生長(Reactive Templated Grain Growth，RTGG)技術(shù)制備或其他方法制備合成壓電電陶瓷，組分(Ba1-xSrx)(ZryTi1-y)O3配方中的0≤x≤ 0.15，0≤y≤0.15；用此配方制備的無鉛BSZT功能壓電陶瓷具有非常良好的介電特性、高壓電系數(shù)，與純的鈦酸鋇陶瓷相比，壓電系數(shù)可以提高2至3倍，與傳統(tǒng)有鉛的鉛基壓電陶瓷相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)，成分無鉛，適合環(huán)境保護(hù)要求，此類無鉛壓電陶瓷非常適合于中、低溫壓電元器件應(yīng)用。
主權(quán)項(xiàng)：1.一種高壓電系數(shù)無鉛鋯鈦酸鍶鋇壓電陶瓷，用溶膠-膠凝法、濕化學(xué)溶液法、固相反應(yīng)法、模板晶粒生長(TemplatedGrainGrowth，TGG)技術(shù)、反應(yīng)模板晶粒生長(ReactiveTemplatedGrainGrowth，RTGG)技術(shù)制備或其他方法制備合成壓電電陶瓷，其特征在于：組分(Ba1-xSrx)(ZryTi1-y)O3配方中的0≤x≤ 0.15，0≤y≤0.15。
